Kaufen NTD85N02RT4G mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen: | NTD85N02RT4G-ND NTD85N02RT4GOSTR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | NTD85N02RT4G |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2050pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.7nC @ 5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 24V 12A (Ta), 85A (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) Surface Mount DPAK |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 24V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Ta), 85A (Tc) |
Email: | [email protected] |