NTJD2152PT4G
NTJD2152PT4G
Artikelnummer:
NTJD2152PT4G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19292 Pieces
Datenblatt:
NTJD2152PT4G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Leistung - max:270mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NTJD2152PT4G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Drain-Source-Spannung (Vdss):8V
Beschreibung:MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:775mA
Email:[email protected]

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