NTLJS4114NT1G
NTLJS4114NT1G
Artikelnummer:
NTLJS4114NT1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14714 Pieces
Datenblatt:
NTLJS4114NT1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-WDFN (2x2)
Serie:µCool™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max):700mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-WDFN Exposed Pad
Andere Namen:NTLJS4114NT1G-ND
NTLJS4114NT1GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:33 Weeks
Hersteller-Teilenummer:NTLJS4114NT1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

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