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NTLUS3C18PZTBG
- Artikelnummer:
- NTLUS3C18PZTBG
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19589 Pieces
- Datenblatt:
- NTLUS3C18PZTBG.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NTLUS3C18PZTBG, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NTLUS3C18PZTBG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-UDFN (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 660mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-PowerUFDFN |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | NTLUS3C18PZTBG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.8nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 12V 4.4A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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