NTMFS4708NT3G
NTMFS4708NT3G
Artikelnummer:
NTMFS4708NT3G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17150 Pieces
Datenblatt:
NTMFS4708NT3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max):1W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN, 5 Leads
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NTMFS4708NT3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 7.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7.8A (Ta)
Email:[email protected]

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