NTMFS4826NET3G
NTMFS4826NET3G
Artikelnummer:
NTMFS4826NET3G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13464 Pieces
Datenblatt:
NTMFS4826NET3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.9 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):870mW (Ta), 41.7W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen:NTMFS4826NET3G-ND
NTMFS4826NET3GOSTR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):3 (168 Hours)
Hersteller-Teilenummer:NTMFS4826NET3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 9.5A (Ta), 66A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.5A (Ta), 66A (Tc)
Email:[email protected]

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