NTMFS6B05NT1G
NTMFS6B05NT1G
Artikelnummer:
NTMFS6B05NT1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17300 Pieces
Datenblatt:
NTMFS6B05NT1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):3.3W (Ta), 138W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:NTMFS6B05NT1GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:29 Weeks
Hersteller-Teilenummer:NTMFS6B05NT1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 16A (Ta), 104A (Tc) 3.3W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16A (Ta), 104A (Tc)
Email:[email protected]

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