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NTMS10P02R2G
- Artikelnummer:
- NTMS10P02R2G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17351 Pieces
- Datenblatt:
- NTMS10P02R2G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NTMS10P02R2G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NTMS10P02R2G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.6W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOS-ND NTMS10P02R2GOSTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | NTMS10P02R2G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3640pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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