NTMS4P01R2
Artikelnummer:
NTMS4P01R2
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
verfügbare Anzahl:
13721 Pieces
Datenblatt:
NTMS4P01R2.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.15V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SOIC
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Verlustleistung (max):790mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:NTMS4P01R2OS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NTMS4P01R2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 9.6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss):12V
Beschreibung:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

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