NTTS2P02R2G
NTTS2P02R2G
Artikelnummer:
NTTS2P02R2G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18316 Pieces
Datenblatt:
NTTS2P02R2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:Micro8™
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Verlustleistung (max):780mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Andere Namen:NTTS2P02R2GOS
NTTS2P02R2GOS-ND
NTTS2P02R2GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NTTS2P02R2G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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