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NVD5890NLT4G-VF01
- Artikelnummer:
- NVD5890NLT4G-VF01
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13054 Pieces
- Datenblatt:
- NVD5890NLT4G-VF01.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NVD5890NLT4G-VF01, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NVD5890NLT4G-VF01 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 4W (Ta), 107W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | NVD5890NLT4G NVD5890NLT4G-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | NVD5890NLT4G-VF01 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4760pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 123A DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 24A (Ta), 123A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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