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NVMFS5113PLT1G
- Artikelnummer:
- NVMFS5113PLT1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15988 Pieces
- Datenblatt:
- NVMFS5113PLT1G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NVMFS5113PLT1G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NVMFS5113PLT1G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14 mOhm @ 17A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | NVMFS5113PLT1GOSDKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 29 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | NVMFS5113PLT1G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 83nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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