Kaufen PD20010STR-E mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
PD20010STR-E
- Artikelnummer:
- PD20010STR-E
- Hersteller:
- ST
- Beschreibung:
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15503 Pieces
- Datenblatt:
- PD20010STR-E.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für PD20010STR-E, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für PD20010STR-E per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Prüfung: | 13.6V |
|---|---|
| Spannung - Nennwert: | 40V |
| Transistor-Typ: | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Serie: | - |
| Leistung: | 10W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
| Andere Namen: | 497-10095-2 PD20010STR-E-ND PD20010STRE |
| Rauschmaß: | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | PD20010STR-E |
| Gewinnen: | 11dB |
| Frequenz: | 2GHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Beschreibung: | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR |
| Aktuelle Bewertung: | 5A |
| Strom - Test: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für PD20010STR-E
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Anfrage |
 |
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Anfrage |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Anfrage |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Anfrage |
 |
BLC8G27LS-160AVHY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 | Anfrage |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Anfrage |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Anfrage |
 |
CGH60060D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Anfrage |
 |
MRFG35005MR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD | Anfrage |
 |
MRF6P3300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 | Anfrage |
|
PD55003STR-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog