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PSMN3R5-80ES,127
- Artikelnummer:
- PSMN3R5-80ES,127
- Hersteller:
- Nexperia
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15125 Pieces
- Datenblatt:
- PSMN3R5-80ES,127.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für PSMN3R5-80ES,127, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für PSMN3R5-80ES,127 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 338W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | 1727-5283 568-6711 568-6711-5 568-6711-5-ND 568-6711-ND 934065163127 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | PSMN3R5-80ES,127 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9800pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 139nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 80V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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