PSMN6R3-120PS
PSMN6R3-120PS
Artikelnummer:
PSMN6R3-120PS
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei durch Freistellung / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16405 Pieces
Datenblatt:
PSMN6R3-120PS.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.7 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max):405W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:1727-1060
568-10168-5
568-10168-5-ND
934067189127
PSMN6R3120PS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Hersteller-Teilenummer:PSMN6R3-120PS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:11384pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:207.1nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):120V
Beschreibung:MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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