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PSMN8R5-100PSQ
- Artikelnummer:
- PSMN8R5-100PSQ
- Hersteller:
- Nexperia
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei durch Freistellung / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17555 Pieces
- Datenblatt:
- PSMN8R5-100PSQ.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für PSMN8R5-100PSQ, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für PSMN8R5-100PSQ per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 263W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | 1727-1053 568-10160-5 568-10160-5-ND 934067376127 PSMN8R5100PSQ |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | PSMN8R5-100PSQ |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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