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PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Artikelnummer:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Beschreibung:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14437 Pieces
- Datenblatt:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für PTAB182002TCV2R250XTMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für PTAB182002TCV2R250XTMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Prüfung: | 28V |
|---|---|
| Spannung - Nennwert: | 65V |
| Transistor-Typ: | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse: | H-49248H-4 |
| Serie: | - |
| Leistung: | 29W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | H-49248H-4 |
| Andere Namen: | SP001483354 |
| Rauschmaß: | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Gewinnen: | 14.8dB |
| Frequenz: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4 |
| Beschreibung: | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Aktuelle Bewertung: | 10µA |
| Strom - Test: | 520mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für PTAB182002TCV2R250XTMA1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PTAB182002FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 | Anfrage |
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PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Anfrage |
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