QS5U16TR
QS5U16TR
Artikelnummer:
QS5U16TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15467 Pieces
Datenblatt:
QS5U16TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TSMT5
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max):900mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:QS5U16TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.9nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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