R6024KNJTL
Artikelnummer:
R6024KNJTL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NCH 600V 24A POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15999 Pieces
Datenblatt:
R6024KNJTL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:165 mOhm @ 11.3A, 10V
Verlustleistung (max):245W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:R6024KNJTLTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:17 Weeks
Hersteller-Teilenummer:R6024KNJTL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 24A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount TO-263
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:NCH 600V 24A POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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