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RCD100N20TL
- Artikelnummer:
- RCD100N20TL
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18654 Pieces
- Datenblatt:
- RCD100N20TL.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RCD100N20TL, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RCD100N20TL per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.25V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | CPT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 182 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 17 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | RCD100N20TL |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 10A CPT3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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