RCX080N25
RCX080N25
Artikelnummer:
RCX080N25
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18300 Pieces
Datenblatt:
RCX080N25.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220FM
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max):2.23W (Ta), 35W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Andere Namen:RCX080N25CT
RCX080N25CT-ND
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:17 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RCX080N25
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 250V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):250V
Beschreibung:MOSFET N-CH 250V 8A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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