RDD050N20TL
RDD050N20TL
Artikelnummer:
RDD050N20TL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15461 Pieces
Datenblatt:
RDD050N20TL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:CPT3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:720 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max):20W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:RDD050N20TLTR
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:RDD050N20TL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:292pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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