RE1J002YNTCL
RE1J002YNTCL
Artikelnummer:
RE1J002YNTCL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13923 Pieces
Datenblatt:
RE1J002YNTCL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max):150mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-89, SOT-490
Andere Namen:RE1J002YNTCL-ND
RE1J002YNTCLTR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RE1J002YNTCL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:26pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Drain-Source-Spannung (Vdss):50V
Beschreibung:MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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