RF081L2STE25
RF081L2STE25
Artikelnummer:
RF081L2STE25
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13138 Pieces
Datenblatt:
RF081L2STE25.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:980mV @ 1.1A
Spannung - Sperr (Vr) (max):200V
Supplier Device-Gehäuse:PMDS
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):25ns
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:DO-214AC, SMA
Andere Namen:RF081L2STE25TR
Betriebstemperatur - Anschluss:150°C (Max)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RF081L2STE25
Expanded Beschreibung:Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Diodentyp:Standard
Beschreibung:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:10µA @ 200V
Strom - Richt (Io):1A
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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