Kaufen RFD3055LE mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±16V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-251AA |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 107 mOhm @ 8A, 5V |
Verlustleistung (max): | 38W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | RFD3055LE |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |