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RFN1L6STE25
- Artikelnummer:
- RFN1L6STE25
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15492 Pieces
- Datenblatt:
- RFN1L6STE25.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RFN1L6STE25, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RFN1L6STE25 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.45V @ 800mA |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse: | PMDS |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 35ns |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DO-214AC, SMA |
| Andere Namen: | RFN1L6STE25TR |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 150°C (Max) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | RFN1L6STE25 |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS |
| Diodentyp: | Standard |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io): | 800mA |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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