Kaufen RGTH00TS65GC11 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
RGTH00TS65GC11
- Artikelnummer:
- RGTH00TS65GC11
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12643 Pieces
- Datenblatt:
- RGTH00TS65GC11.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RGTH00TS65GC11, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RGTH00TS65GC11 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 50A |
| Testbedingung: | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 39ns/143ns |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247N |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 277W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | RGTH00TS65GC11 |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 94nC |
| Expanded Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N |
| Beschreibung: | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 85A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für RGTH00TS65GC11
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 85A 277W TO-247N | Anfrage |
 |
RJP60D0DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 45A 35W TO-220FL | Anfrage |
 |
IHD06N60RA | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | Anfrage |
 |
APT15GT60BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 42A 184W TO247 | Anfrage |
 |
IRG4PC40FPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 49A 160W TO247AC | Anfrage |
 |
FGB3040CS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 430V 21A 150W TO263-6 | Anfrage |
 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W D2PAK | Anfrage |
|
APT25GT120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | Anfrage |
|
IRG4PC60U-PPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 75A 520W TO247AC | Anfrage |
 |
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Anfrage |
 |
NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 | Anfrage |
 |
STGWT40H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | Anfrage |
 |
IXGP42N30C3 | IXYS | IGBT 300V 223W TO220AB | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog