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RP1E090XNTCR
- Artikelnummer:
- RP1E090XNTCR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17827 Pieces
- Datenblatt:
- RP1E090XNTCR.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RP1E090XNTCR, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RP1E090XNTCR per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | MPT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-SMD, Flat Leads |
| Andere Namen: | RP1E090XNTCRTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | RP1E090XNTCR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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