RQ1E050RPTR
RQ1E050RPTR
Artikelnummer:
RQ1E050RPTR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15695 Pieces
Datenblatt:
RQ1E050RPTR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TSMT8
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):700mW (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Andere Namen:RQ1E050RPDKR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:RQ1E050RPTR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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