Kaufen RQ7E055ATTCR mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TSMT8 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 24.5 mOhm @ 5.5A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1.5W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
Andere Namen: | RQ7E055ATTCRTR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | RQ7E055ATTCR |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.8nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 30V 5.5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8 |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
Beschreibung: | PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |