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RSS100N03FU6TB
- Artikelnummer:
- RSS100N03FU6TB
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17229 Pieces
- Datenblatt:
- RSS100N03FU6TB.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RSS100N03FU6TB, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RSS100N03FU6TB per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | RSS100N03FU6TB |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1070pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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