RTL030P02TR
RTL030P02TR
Artikelnummer:
RTL030P02TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18507 Pieces
Datenblatt:
RTL030P02TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TUMT6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max):1W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-SMD, Flat Leads
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:RTL030P02TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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