RUE002N05TL
RUE002N05TL
Artikelnummer:
RUE002N05TL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17533 Pieces
Datenblatt:
RUE002N05TL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:EMT3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max):150mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-75, SOT-416
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:RUE002N05TL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Drain-Source-Spannung (Vdss):50V
Beschreibung:MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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