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RUU002N05T106
- Artikelnummer:
- RUU002N05T106
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12731 Pieces
- Datenblatt:
- RUU002N05T106.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RUU002N05T106, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RUU002N05T106 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 200mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-70, SOT-323 |
| Andere Namen: | RUU002N05T106-ND RUU002N05T106TR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | RUU002N05T106 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 50V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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