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SI1330EDL-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI1330EDL-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13509 Pieces
- Datenblatt:
- SI1330EDL-T1-GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SI1330EDL-T1-GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SI1330EDL-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-70-3 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 250mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 280mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-70, SOT-323 |
| Andere Namen: | SI1330EDL-T1-GE3TR SI1330EDLT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SI1330EDL-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 3V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 240mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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