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SI5475DC-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI5475DC-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12485 Pieces
- Datenblatt:
- SI5475DC-T1-GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SI5475DC-T1-GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SI5475DC-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.3W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SI5475DC-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 12V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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