Kaufen SI5975DC-T1-GE3 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
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Supplier Device-Gehäuse: | 1206-8 ChipFET™ |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Leistung - max: | 1.1W |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | SI5975DC-T1-GE3 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 4.5V |
Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.1A |
Email: | [email protected] |