SI7447ADP-T1-GE3
SI7447ADP-T1-GE3
Artikelnummer:
SI7447ADP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16460 Pieces
Datenblatt:
SI7447ADP-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max):5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SI7447ADP-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 35A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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