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SIF912EDZ-T1-E3
- Artikelnummer:
- SIF912EDZ-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19586 Pieces
- Datenblatt:
- SIF912EDZ-T1-E3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SIF912EDZ-T1-E3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SIF912EDZ-T1-E3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® (2x5) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Leistung - max: | 1.6W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 2x5 |
| Andere Namen: | SIF912EDZ-T1-E3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SIF912EDZ-T1-E3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7.4A |
| Email: | [email protected] |
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