SP8J66TB1
Artikelnummer:
SP8J66TB1
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14368 Pieces
Datenblatt:
SP8J66TB1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:-
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SP8J66TB1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A Surface Mount 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9A
Email:[email protected]

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