SP8M10TB
SP8M10TB
Artikelnummer:
SP8M10TB
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12252 Pieces
Datenblatt:
SP8M10TB.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max:2W
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:SP8M10TBCT
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SP8M10TB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 5V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A, 4.5A
Email:[email protected]

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