Kaufen SP8M2FU6TB mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
SP8M2FU6TB
- Artikelnummer:
- SP8M2FU6TB
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17954 Pieces
- Datenblatt:
- SP8M2FU6TB.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SP8M2FU6TB, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SP8M2FU6TB per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 83 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Leistung - max: | 2W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SP8M2FU6TB |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5nC @ 5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SP8M2FU6TB
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50DHM35G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | Anfrage |
 |
NTLUD3A260PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | Anfrage |
 |
MMDF2P02ER2G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC | Anfrage |
 |
MP6K13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6 | Anfrage |
 |
SI4816DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | Anfrage |
 |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | Anfrage |
 |
QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | Anfrage |
 |
FDC6506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 | Anfrage |
 |
SI3993CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP | Anfrage |
 |
IRF8852TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog