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SPB08P06PGATMA1
- Artikelnummer:
- SPB08P06PGATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12528 Pieces
- Datenblatt:
- SPB08P06PGATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SPB08P06PGATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SPB08P06PGATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 42W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SP000102179 SPB08P06P G SPB08P06P G-ND SPB08P06PGINTR SPB08P06PGINTR-ND SPB08P06PGXT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SPB08P06PGATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 60V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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