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SPB18P06P G
- Artikelnummer:
- SPB18P06P G
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13353 Pieces
- Datenblatt:
- SPB18P06P G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SPB18P06P G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SPB18P06P G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 81.1W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SP000102181 SPB18P06P G-ND SPB18P06PG SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGINTR SPB18P06PGXT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SPB18P06P G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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