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SPB80N06S08ATMA1
- Artikelnummer:
- SPB80N06S08ATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 17467 Pieces
- Datenblatt:
- SPB80N06S08ATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SPB80N06S08ATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SPB80N06S08ATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 240µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 300W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SP000054056 SP000084808 SPB80N06S-08 SPB80N06S-08-ND SPB80N06S08 SPB80N06S08T |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SPB80N06S08ATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3660pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 187nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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