SPB80N10L G
SPB80N10L G
Artikelnummer:
SPB80N10L G
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16715 Pieces
Datenblatt:
SPB80N10L G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 2mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO263-3-2
Serie:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (max):250W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:SP000102173
SPB80N10L G-ND
SPB80N10LGINTR
SPB80N10LGXT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SPB80N10L G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:240nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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