SPP02N60S5HKSA1
SPP02N60S5HKSA1
Artikelnummer:
SPP02N60S5HKSA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16639 Pieces
Datenblatt:
SPP02N60S5HKSA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 80µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max):25W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SPP02N60S5HKSA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:240pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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