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SPP80N06S2-08
- Artikelnummer:
- SPP80N06S2-08
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 19963 Pieces
- Datenblatt:
- SPP80N06S2-08.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SPP80N06S2-08, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SPP80N06S2-08 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 58A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 215W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | SP000012822 SPP80N06S208 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SPP80N06S2-08 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SPP80N06S2-08
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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SPP80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Anfrage |
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