Deutsch
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Über uns | Kontakt | Angebot anfordern |
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SPU03N60S5BKMA1
SPU03N60S5BKMA1
SPU03N60S5BKMA1
Artikelnummer:
SPU03N60S5BKMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14337 Pieces
Datenblatt:
SPU03N60S5BKMA1.pdf
Anfrage

Einführung

BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SPU03N60S5BKMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SPU03N60S5BKMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen SPU03N60S5BKMA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie

Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 135µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO251-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):38W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:SPU03N60S5BKMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung

In Verbindung stehende Teile für SPU03N60S5BKMA1

Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
RCX220N25 Image RCX220N25 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 250V 22A TO220 Anfrage
NX7002BKR Image NX7002BKR Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB Anfrage
STD12N50DM2 Image STD12N50DM2 STMicroelectronics N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., Anfrage
MGSF1N03LT3G Image MGSF1N03LT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 Anfrage
IXFH30N40Q Image IXFH30N40Q IXYS MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 Anfrage
FQPF30N06L Image FQPF30N06L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F Anfrage
IXFR26N60Q Image IXFR26N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 Anfrage
SPU03N60C3BKMA1 Image SPU03N60C3BKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 Anfrage
SPB80N03S2L-05 Image SPB80N03S2L-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Anfrage
DMN10H099SFG-7 Image DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 Anfrage
BSP030,115 Image BSP030,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 Anfrage
STB21NM50N Image STB21NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK Anfrage
IRFH7440TRPBF Image IRFH7440TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Anfrage
CSD18509Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Anfrage
BSC026N02KS G Image BSC026N02KS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 Anfrage
SIHB28N60EF-GE3 Image SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK Anfrage
IRF3707SPBF Image IRF3707SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Anfrage
IXFX20N120 Image IXFX20N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 Anfrage

läst Nachrichten