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SQD19P06-60L_GE3
- Artikelnummer:
- SQD19P06-60L_GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 20A TO252
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14970 Pieces
- Datenblatt:
- SQD19P06-60L_GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SQD19P06-60L_GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SQD19P06-60L_GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 46W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | SQD19P06-60L-GE3 SQD19P06-60L-GE3-ND SQD19P06-60L_GE3-ND SQD19P06-60L_GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SQD19P06-60L_GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1490pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 60V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 20A TO252 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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